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SK海力士开发出238层NND闪存芯片 预计明年上半年量产

2022-08-03    分类:外汇    阅读:72

韩联社8月3日报道,韩国半导体制造商SK海力士3日表示,公司成功研发出全球首款业界最高层数的238层512Gb TLC(Triple Level Cell)4D闪存芯片(NAND)样品,该芯片将于明年上半年实现量产。

SK海力士当天在美国加州举行的2022全球闪存峰会上公开该产品。公司表示,这是公司自2020年12月研发出176层NAND后时隔1年零7个月成功研发下一代新技术。尤其是新产品既拥有业界最高层数,也是目前最小的NAND产品,其意义重大。

与176层NAND相比,新产品的生产效率提升34%,数据传输速度(每秒2.4Gb)提升50%,功耗减少21%。SK海力士计划先为客户端固态硬盘(SSD)供应238层NAND,之后逐步将产品使用范围扩大至智能手机和大容量服务器固态硬盘,并于明年推出该产品的1Tb扩容版。

 

 

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